Memoria prototipo introducida, 100,000 veces más rápida que las contrapartes existentes

Un equipo de investigadores de China ha anunciado la creación de un prototipo de memoria no volátil que es 100,000 veces más rápido que los equivalentes existentes. Los resultados, publicados en Nature, describen una tecnología capaz de realizar operaciones de lectura y escritura en solo 0.4 nanosegundos. Para comparar, esto es decenas de miles de veces más rápido que los actuales chips de caché basados en SRAM.

El desarrollo se basa en materiales bidimensionales: grafeno y diseleniuro de tungsteno (WSe₂). Sus propiedades únicas permitieron a los investigadores superar las limitaciones físicas de los transistores de silicio, que han permanecido en gran medida sin cambios desde la década de 1960. En los sistemas tradicionales, la velocidad está limitada por la necesidad de "acelerar" electrones utilizando un campo electromagnético. En esta nueva memoria, las partículas se comportan como si no tuvieran masa, lo que reduce drásticamente la pérdida de energía y acelera la transferencia de datos.

El prototipo tiene una capacidad modesta de aproximadamente 1 KB pero demuestra una fiabilidad impresionante con más de 5.5 millones de ciclos de reescritura sin degradación. Los investigadores señalan que el principal desafío ahora es escalar la tecnología. Durante los próximos cinco años, planean aumentar la capacidad de la memoria a decenas de megabytes y comenzar la producción comercial.

El desarrollo ha estado en curso desde 2015. En 2021, se propuso un modelo teórico, y en 2024, se creó el primer chip con una longitud de canal de 8 nm, casi la mitad del límite para equivalentes basados en silicio. Según los investigadores, implementar tal almacenamiento podría reducir el consumo de energía del procesador y acelerar las tareas en redes neuronales, donde la velocidad de procesamiento de datos es crítica.