Intel está combinando una nueva estrategia de memoria con el diseño de procesadores futuros, y Lip-Bu Tan dice que la compañía está considerando una configuración que coloca la DRAM verticalmente sobre el procesador mientras omite la capa intermedia. Tan también dijo que la memoria se está convirtiendo en un factor clave en los futuros chips en lugar de un complemento externo, especialmente para cargas de trabajo de IA.
La compañía también ha traído al ex CEO de SK hynix, Seok-Hee Lee, para fortalecer su trabajo en memoria avanzada y empaquetado. Intel está tratando de impulsar esa dirección desde más de un ángulo mientras mantiene su enfoque principal en productos de procesadores. Una de las arquitecturas que Intel está considerando es la DRAM vertical central sobre el procesador. Según la compañía, esto podría acortar las rutas de datos y aumentar el ancho de la interfaz, pero Intel también admite que el enfoque tiene desventajas claras, incluidos problemas de refrigeración y desafíos de rendimiento del chip.
Intel también ha descrito XBM en una patente, una tecnología que evita la capa de silicio intermedia utilizada en la HBM tradicional. La compañía dice que este enfoque podría reducir costos, lo que lo hace especialmente interesante junto a sus planes de memoria más amplios. Al mismo tiempo, Intel no planea regresar a la producción masiva de DRAM. En cambio, la compañía quiere centrarse en la integración de memoria y el empaquetado para productos futuros, de modo que Xeon, Core y aceleradores se destaquen más claramente frente a los competidores.
Las ambiciones de memoria de Intel se están volviendo más serias, pero la compañía aún parece reacia a convertirse nuevamente en un fabricante masivo de DRAM. También ha traído a Seok-Hee Lee para ayudar a impulsar esa estrategia, lo que plantea la pregunta de si la integración y el empaquetado por sí solos serán suficientes.
¿Puede Intel destacarse en memoria al centrarse en la integración y el empaquetado en lugar de la producción masiva de DRAM?
