Samsung y SK Hynix presentan memoria que incluso las mejores GPU no pueden manejar

En medio del rápido desarrollo de tecnologías de inteligencia artificial, los principales fabricantes de semiconductores — Samsung, SK Hynix y Micron — han presentado la próxima generación de memoria HBM4 y han revelado su sucesora evolutiva, HBM4E. SK Hynix, un socio clave de NVIDIA, fue el primero en entregar muestras de HBM4, mostrando módulos de 16 capas con una capacidad total de 48 GB (3 GB por capa) y una velocidad de 8 Gbps. Sin embargo, para 2025, la empresa planea ampliar su línea con versiones de 12 capas que cuentan con 36 GB de memoria. A largo plazo, los ingenieros están considerando estructuras de 20 capas, aunque tales avances pueden convertirse en una característica distintiva de la próxima generación.

Con ganas de liderar, Samsung anunció que había alcanzado velocidades de 9.2 Gbps — una base probable para el desarrollo futuro de HBM4E. El gigante tecnológico coreano tiene como objetivo introducir pilas de 64 GB para 2027, con cada una de las 16 capas conteniendo 4 GB de datos. El ancho de banda también se espera que aumente a 10 Gbps, marcando una mejora del 25% respecto a las velocidades actuales de HBM4.

Ambas compañías enfatizan que producir HBM4 y HBM4E requerirá una transición a procesos de litografía avanzados tradicionalmente utilizados para chips lógicos. Esto es particularmente crucial para desarrollar obleas base, que sirven como fundamento para estructuras de múltiples capas. Micron, adoptando un enfoque más cauteloso, ha anunciado planes para comenzar la producción en masa de HBM4 solo en 2026, destacando los desafíos técnicos involucrados en la adaptación de la tecnología.

Los expertos coinciden unánimemente en que, debido a sus altos costos de producción, HBM4 no aparecerá en tarjetas gráficas para juegos. En cambio, su mercado objetivo son los aceleradores de IA y supercomputadoras, donde la velocidad y capacidad de la memoria son críticas para el entrenamiento de redes neuronales. La demanda de tales soluciones ya excede la oferta, y con la llegada de HBM4E, la brecha puede ampliarse aún más — especialmente considerando los planes de Samsung para módulos de 64 GB. Los analistas predicen que para 2027, HBM4 y sus sucesores representarán más del 40% del mercado de memoria de alto rendimiento. Sin embargo, la gran pregunta sigue siendo: ¿pueden los fabricantes encontrar un equilibrio entre la innovación y el costo, y qué tan pronto llegará esta tecnología a los usuarios comunes?